世界第一!台积电正式宣布2nm制程:2024年台积电晶体管制程开始生产

来源:Technology Fast作者:文字Q
近年来,摩尔定律基本上已经失效或越来越慢,但是在半导体工艺中却杀死了几大巨头。
英特尔终于进入了10纳米制程时代,并将在第二年转向7纳米。台积电和三星已经完成了7 nm工艺设计,并冲到了5 nm和3 nm。
台积电已正式宣布它将正式开始2纳米工艺的研发。工厂位于台湾新竹市的南方科技园。原定于2024年投入生产的时间步伐仍然非常快。
根据台积电提供的指标,2纳米工艺是一个重要的节点,MetalTrack(金属单元高度)保持在5倍和3纳米,并且GatePitch(晶体管栅极通过)减少了。在30 nm处,MetalPitch减小到20 nm,减小了23%(3 nm)。
台积电没有透露2 nm工艺所需的技术和材料。从晶体管结构示意图和电流无关紧要的变化来看,将硅半导体工艺降低到这种程度是一个奇迹。然后您可以看到它是1 nm。
当然,在此之前,台积电将继续经历多个制程节点,例如7nm +,6nm,5nm,3nm等。
其中,7nm +首次引入了EUV EUV光刻技术。这是批量生产。6nm是7nm的改进版本,将于明年第一季度进行试生产。EUV 5nm光刻技术全面推出,风险测试生产将于明年年底开始。在批量生产之前,苹果公司A14,AMD第5代瑞龙(计划采用Zen4)。3nm将于2021年原型化,并将于2022年量产。
三星已经在计划3nm,计划于2021年实现量产。


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